Modifizierter USAF-Test

Lateraler Auflösungstest für die optische Mikroskopie und REM

In Anlehnung an den bekannten USAF Resolution Test Chart  („USAF-Auflösungstesttafel“ aus dem Jahre 1951) zur Feststellung und Kontrolle des Auflösungsvermögen von optischen Instrumenten, bieten wir eine hochauflösende Version mit Gitterperioden bis 274 nm (= 3649 Lp/mm). 

  • Substrat:  Si
  • Chipgröße:  10 x 10 mm²
  • Strukturmaterial:  50 nm Gold

Beschreibung

Lateraler Auflösungstest für die optische Mikroskopie und REM

  • Gitterperioden: Von 500 µm bis 274 nm bzw. 2 bis 3649 Lp/mm 
  • Substrat:  Si
  • Chipgröße:  10 x 10 mm²
  • Strukturmaterial:  50 nm Gold

Angebot | Kontakt

Huebner

Dr. Uwe Hübner
Leiter des Kompetenzzentrums für Mikro- und Nanotechnologien
Ihr Ansprechpartner für kundenspezifische Anfragen

Telefon: +49 (0) 3641 · 206-126
Email: uwe.huebner@leibniz-ipht.de