Modifizierter USAF-Test mit Siemensstern

Lateraler Auflösungstest in Polymer für die optische Mikroskopie

Zur Feststellung und Kontrolle des Auflösungsvermögen von optischen Instrumenten bieten wir eine hochauflösende Version des USAF Resolution Test Chart  („USAF-Auflösungstesttafel“ aus dem Jahre 1951) mit Gitterperioden bis 274 nm (= 3649 Lp/mm) an, ergänzt um eine hochauflösende Siemenssternstruktur mit einer Gitterperiode von 267 nm im Inneren.

  • Substrat:  Quarz
  • Chipgröße:  10 x 10 mm²
  • Strukturmaterial:  500 nm PMMA

Beschreibung

Lateraler Auflösungstest in Polymer für die optische Mikroskopie

  • USAF-Gitter: Perioden von 500 µm bis 274 nm bzw. 2 bis 3649 Lp/mm 
  • Siemensstern: Perioden bis 267 nm
  • Substrat:  Quarz, 1mm dick
  • Chipgröße:  10 x 10 mm²
  • Strukturmaterial:  500 nm PMMA*
  • Andere Materialien auf Anfrage

 

*ARP6200 von Allresist GmbH

Angebot | Kontakt

Huebner

Dr. Uwe Hübner
Leiter des Kompetenzzentrums für Mikro- und Nanotechnologien
Ihr Ansprechpartner für kundenspezifische Anfragen

Telefon: +49 (0) 3641 · 206-126
Email: uwe.huebner@leibniz-ipht.de