Beschreibung
Lateraler Auflösungstest in Polymer für die optische Mikroskopie
- USAF-Gitter: Perioden von 500 µm bis 274 nm bzw. 2 bis 3649 Lp/mm
- Siemensstern: Perioden bis 267 nm
- Substrat: Quarz, 1mm dick
- Chipgröße: 10 x 10 mm²
- Strukturmaterial: 500 nm PMMA*
- Andere Materialien auf Anfrage
*ARP6200 von Allresist GmbH
Angebot | Kontakt

Dr. Uwe Hübner
Leiter des Kompetenzzentrums für Mikro- und Nanotechnologien
Ihr Ansprechpartner für kundenspezifische Anfragen
Telefon: +49 (0) 3641 · 206-126
Email: uwe.huebner@leibniz-ipht.de